Fachvertiefung - Nanoelektronik und Informationstechnologie

31 Beiträge in diesem Thema

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Hallo!

Ich überlege, ob ich im Wintersemester diese Fachvertiefung machen soll.

Das Fachgebiet an sich interessiert mich sehr, allerdings bin ich mir nicht sicher, weil ich die Bauelemente Übung dieses Semester nicht bestanden habe. Ich musste noch die Mathe 2 Übung nachmachen und da ist es sich mit den anderen LVAs vom 4.Semester nicht ausgegangen, für Bauelemente ordentlich mitzulernen. Und nachdem es, wie gesagt, ein Gebiet ist, das mich interessiert, wollte ich mir auch nicht irgendwie einen 4er erschummeln und gleich die ganze VU nächstes Semester wiederholen (sind ja nur 2 Monate).

Daher meine Fragen: Ist ein positiver (Übungs)abschluss von Bauelemente Voraussetzung für die Teilnahme der Vertiefung? Wenn nicht verpflichtend, wie viel wird wirklich vorausgesetzt und was ist wichtig? Denn wenns nicht verpflichtend ist, könnte ich im Sommer zumindest das nötige Vorwissen lernen.

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Hallo mohl!

Ein Grundverständnis für die Funktionsweise von FETs sollte schon vorhanden sein, jedoch ist die Fachvertiefung nicht so detailreich wie Bauelemente. Der Fokus liegt meiner Erfahrung nach eher auf qualitativem Verständnis und vor allem darauf den Studenten zeitgemäße Innovationen (FIN-FETs, e-Ink, Nanowires, Nanotubes, OLEDs, ...) und Prozesstechnik zu zeigen. Die Fachvertiefung ist sehr interessant und beinhaltet auch eine Übung, in welcher ein FET mittels TCAD simuliert wird.

Ob die Bauelemente VU wirklich verlangt wird kann ich dir leider nicht sagen, jedoch kannst du diesbezüglich sicher einen der Vortragenden befragen. Fachlich kannst du sie jedoch sicher ohne große Vorkenntnisse aus der Bauelemente VU schaffen.

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Hallo Leute!

Hatte das Semester Prüfung, der Modus hat sich etwa geändert, und zwar prüfen jetzt alle 4 Vortragenden, jeweils 2 Fragen

Meine Fragen waren:

Prof. Hobler: Morr´sches Gesetz

Was für Dotierverfahren gibt es, Unterschiede und dann bissi was über thermische Behandlung

Prof. Lugstein: TFET

grafen

und als entscheidungfrage den junctionles tranitor

Dr. Wanzenböck: CCD

Elektrisches Papier

Prof. Bertagnolli:

alles mögliche über DRAM

LG

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Im WS 2015 mussten wir mit TCAD unterschiedliche MOSFET Eigenschafften ändern und untersuchen, im Anschluss dann eine Presentation vorbereiten.

Diese process_fps_Datei war gegeben, mann musste nur "kleine" änderungen im Programmcode machen, ist nicht schwer. mann braucht aber viel Geduld :)

TCAD Aufgaben.pdf

Nanoelectronics_Presentation,_Gruppe_3.pdf

process_fps_WORKING COPY.txt

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Die Prüfungsfragen 2016:

Prof. Bertagnolli:
Kandidat 1) DRAM , Was bedeutet destruktives lesen, volatile, refresh Zyklen.
2) EEPROM , Carrier hot electrons (CHE), Wie lang werden die daten sicher gespeichert.
Prof. Hobler:
Mooresches gesetz, TCAD einsatzgebiete, MOSFET Skalierungen, SCE, Dotierverfahren, und eine frage
aus kapitel 4, SEM-TEM Spektroskopie oder sowas.
Prof. Lugstein:
TFET funktionsweise, Junktionless FET, Wieso hat man High-K materialien eingeführt.
(Q=CU = eps_0 * eps_r * A / d , A wurde kleiner wegen skalierung, d musste auch verkleinert, aber da
d nur 3-5 atomen breit war waren die Tunellströme zu hoch, mit High-k Materialien können wir
wieder d grösser machen da eps_r auch grösser ist. )
Prof. Wanzenböck
Berührungssensitive Sensoren, und OLED / LCD / TFT vergleich und Funktionsweise,
CCD und Elektronisches papier.

Auf der Prüfung von Prof. Lugstein sollte man sich gut vorbereiten, sonst kann er dir sehr leicht einen 1er oder 2er Endnote auf einen Schlag ruinieren.

Nanoelektronik Fragen.pdf

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Hallo!

Ich lerne gerade für die Prüfung und bräuchte Tipps von den Erfahrenen unter euch. Vor allem mit den Unterlagen zu Logic devices tu ich mir schwer. Ich kann auf den Ausdrucken kaum die Diagramme bzw. Bildunterschriften entziffern und da es eher aktuelle Forschungsbereiche sind, finde ich auch keine einfachen Beschreibungen zu den einzelnene Themen im Internet. Wie habt ihr das gelernt? :)

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