Fachvertiefung - Nanoelektronik und Informationstechnologie

31 Beiträge in diesem Thema

Geschrieben

Servas!

Ich hoff ich bin hier in der richtigen Abteilung, und hoffe auch, meine Kollegen finden den Beitrag :D

Zur Prüfung am kommenden Donnerstag (31.1.2013):

Folien von Prof. Bertagnolli sind noch immer nicht auf TISS!

Ich werd morgen (Sonntag) gegen Abend eine Zusammenfassung (eher eine Stichwortcompilation ^^) schön lesbar aufschreiben und vielleicht ein paar Seiten dazu aus dem Buch von Rainer Waser (Nanoelectronics and Information Technology) rausfotografieren, die dazu passen... die Stichwörter helfen dann hoffentlich, sich orientieren zu können, wonach man googelt oder auf Wikipedia sucht! Ich habe recht viel mitgeschrieben, aber kann Vollständigkeit und Richtigkeit nicht garantieren... am besten selbst nachforschen im Netz!

Lg

Hannes

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Geschrieben

Find ich toll von dir, großes Dankeschön...hilft mir persönlich sehr viel weil ich aus beruflichen Gründen selten in die Vorlesungen gehn konnte...

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Geschrieben

Bin noch dran! hab ein bisschen mit dem Erstellen des pdfs zu kämpfen, da ich keinen Scanner habe (der bei der Dimension des Buches eh nicht wirklich gut scannen würde -.- ) und ich alles lesbar abfotografieren muss... ich krieg es übrigens nicht hin aus den .jpgs, die um 90° gedreht sind, senkrecht stehende pdf Seiten zu erstellen :/ aber Adobe Acrobat Reader hat eine Funktion unter "Anzeige" - "Ansicht drehen", wo man das gesamte pdf im und gegen den Uhrzeigersinn drehen kann...

Sorry wegen der Verzögerung, ich werde die Unterlagen auf jeden Fall noch heute Nacht hochladen!

lg

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Geschrieben

So, endlich...der Abend war dann doch länger als geplant =)

leider wars mir nicht möglich (vielleicht bin ich einfach nur zu dämlich dafür ^^) eine kleinere pdf Datei zu erstellen, ich musste sie auf Dropbox laden und gebe den Link frei... sind ein paar Mb ;D

die Zusammenfassung (siehe Anhang) war dann doch ein bisschen mehr als eine Stichwortcompilation und beinhaltet ziemlich alles, was ich mitgeschrieben habe... zur Sicherheit solltet ihr alles selbst nachsehen auf Wikipedia, Google, etc, falls ich mich irgendwo geirrt oder verschrieben, oder überhaupt nen Sachverhalt falsch verstanden haben sollte...

Ich habe aus dem Waser Nanoelectronics Buch (Link) 56 Seiten rausfotografiert, von denen vl insges 20-30 wirklich relevant sind (bis auf Formeln, die werden garantiert nicht geprüft)... die introduction ist empfehlenswert, da steht schon einiges wertvolles drin. Bei einigen Kapiteln war ich mir nicht sicher, ob etwas zum Stoff dazugehört oder nicht, deshalb hab ich einige Seiten noch zusätzlich mit hinein genommen, falls sichs doch jemand durchlesen will... aber auf keinen Fall ins Detail gehen, nur das wichtigste rauspicken...

Hier nochmals der Link:

https://www.dropbox...._hlspeicher.pdf

Sollte jemand das nicht runterladen können, bitte eine Nachricht an mich... bin außerdem morgen ab Mittag und wahrscheinlich auch Dienstag/Mittwoch bis 6 auf der Mathe Bib, ich werde nen USB Stick mit den files mitnehmen. Bitte sagt mir auch, wenn etwas nicht lesbar ist, ich werd dann diese Seite verbessert neu hochladen.

lg

Hannes

FV_nanoelektronik_HLspeicher.doc

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Geschrieben

Super Danke!!!

Auf die Gefahr hin unverschämt zu sein, wenn du mal Zeit hast, könntest du deine Notizen zu Prof. Lugsteins Vorlesung abfotografieren oder die entsprechenden Buchseiten?

Seine Folien sind doch sehr dürftig...falls du keine Zeit findest, auch kein Problem.

Danke nochmal für deine Mühe.

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Geschrieben

Mir ist auch noch aufgefallen das an manchen Folie von Prof. Wanzenböck Rufzeichen sind, sind nur diese Prüfungsrelevant oder hat die Markierung keine Bedeutung?

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Geschrieben

Wanzenböck: ja, die Rufzeichen sind die wichtigen Seiten, die anderen nicht, die sind nur Ergänzendes für die Interessierten hat er gesagt..

Ich werd schauen, dass ich was aus dem Buch rausfinde zu Lugsteins Vorlesungen, allerdings muss ich jetzt heute mal selbst lernen :) das heißt morgen im Laufe des Tages werd ich das erledigen!

np ;)

gruß

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Geschrieben

So, danke Michi!

jetzt sind auch noch die Logic Devices aus dem Buch gescannt - habe diesmal den Scanner ausm zweiten Stock der Bib verwendet, das geht doch ein bisschen schneller und gmiadlicher :) Michi hat die files auf a vertretbare Größe gebracht! Viel Spaß damit, aber bloß ned übertreiben, sonst wirds unnötig viel Aufwand^^

https://www.dropbox.com/sh/v0yifoyb9ja7t6f/iiAo-9BauE

Das ist der gesamte Ordner, in dem sich auch das Exzerpt über Halbleiterspeicher befindet.

Kleine Anmerkung: habe heute mit einer Kollegin gesprochen, die auch diese Prüfung gemacht hat und es soll eine ziemlich gemütliche Prüfung sein! Also eine Zerstörungsprüfung wirds mal nicht ;) wenn man (zB Lugstein Logic Devices) die grundlegende Funktionalität in etwa beschreiben kann ist das ausreichend... die Idee hinter den Devices soll erfasst worden sein! So wirds bei den anderen Prüfern auch sein...

schönen Abend!

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Seits ihr euch sicher, dass die keine Formeln von uns hören wollen? Geben würds ja doch einige. Vorallem die 2 die die Drainströme beschreiben stehen öfters in den Folien. :cray:

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Folien von Prof. Bertagnolli sind noch immer nicht online, ich nehm mal an dass die Kapitel von ihm dann auch nicht prüfungsrelevant sein können...

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@jules: jaa also formeln zu steuerkennlinien etc die wir schon in hlp und elbau bis zum erbrechen gehört haben sollten ja nicht mehr so das problem sein... aber darüber hinaus glaub ich eher nicht, dass formel großartig gefragt werden... beispiel: in den folien von lugstein gibts diese formel fürs lamda (planarer mosfet, doppelgate,finfet...) da kann man sich zumindest die proportionalitäten merken: was passiert, wenn ich an welcher technologieschraube drehe.. dicke des oxids, kanallänge, k,... das stell ich mir vor ist relevant! aber zb unter diameter dependent growth direction of SiNW auf s 21 von lugstein werden die formeln sicher ned abgefragt.. was meinst du/meint ihr?

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Folien von Prof. Bertagnolli sind noch immer nicht online, ich nehm mal an dass die Kapitel von ihm dann auch nicht prüfungsrelevant sein können...

Das denke ich nicht, die werden einfach vergessen haben das online zu stellen...

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Folien von Prof. Bertagnolli sind noch immer nicht online, ich nehm mal an dass die Kapitel von ihm dann auch nicht prüfungsrelevant sein können...

hab grad ein mail von der sekretärin mit den folien bekommen. 105 seiten 2 folien / seite

@jules: jaa also formeln zu steuerkennlinien etc die wir schon in hlp und elbau bis zum erbrechen gehört haben sollten ja nicht mehr so das problem sein... aber darüber hinaus glaub ich eher nicht, dass formel großartig gefragt werden... beispiel: in den folien von lugstein gibts diese formel fürs lamda (planarer mosfet, doppelgate,finfet...) da kann man sich zumindest die proportionalitäten merken: was passiert, wenn ich an welcher technologieschraube drehe.. dicke des oxids, kanallänge, k,... das stell ich mir vor ist relevant! aber zb unter diameter dependent growth direction of SiNW auf s 21 von lugstein werden die formeln sicher ned abgefragt.. was meinst du/meint ihr?

denk auch dass man bei die formeln eher die parameter kennen sollte wie sie zusammenhängen (zB XRD, welche größen man damit bestimmen kann usw, oder Lithographie Auflösung abhängig von Brechungsindex und Wellenlänge ...)

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Was ist jetzt eigentlich genau der Prüfungsstoff, alles von Prof. Hobler auch? TCAD Einführung vermut ich mal nicht!Auch die ganze Herstellung von MosFets mit den Verfahren wie Implantation, Lithographie usw... ?

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Also Herstellungsverfahren von MosFets werden denke ich garantiert gefragt. Aber is doch eh immer das selbe... Schicht aufbringen, dotieren, backen, ätzen, nächste schicht,... usw :)

Btw: kann mir jemand schlüssig erklären wie Tunnel-FET´s funktionieren? Im internet findet man nichts brauchbares und die erklärung auf den Folien is auch irgendwas...

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Tunnel Fet: kapitel 14, s.366 aus dem waser buch (siehe dropbox ordner)

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Praktisch ist dass Nanotechnologie viel mit der Sensorik vorlesung gemeinsam hat (Prof. hobler teil)

Kann die Prozesstechnologie glaub ich schon im Schlaf aufsagen ;-)

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Geschrieben

Kann mir jem erklären wie so ein CNT-Fet funktioniert? Ich schnall das iwie überhaupt nicht, die Struktur is klar, Source bzw. Drain sind miteinander durch Graphene verbunden, also ist das Graphen der Kanal, das Gate kommt an die Vorder bzw. Rückseite, dazwischen kommt noch Oxid.

Aber was löst nun den Transistoreffekt aus??

Danke!

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Geschrieben

Nunja, die Nanoröhre hat ja halbleitereigenschaften und wird einfach als Channel hergenommen. Scheint vom Prinzip her wie ein herkömmlicher Transistor zu funktionieren. Es gibt aber auch andere Ansätze, da sich Nanotubes beim anlegen einer Spannung ausdehnen bzw zusammenziehen und somit Kontakte kurzschließen können, was man sich beispielsweise bei Speichern zunutze macht.

http://en.wikipedia....fect_transistor

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und wie wars bei euch? :) bertagnolli war halt wieder bertagnollistyle hehe ;)

wie waren hobler, wanzenböck und lugstein und was für fragen haben sie gestellt? würd ich echt gern wissen hehe... vl auch für unsere nachgänger hilfreich! schönes wochenende und schönen ferienbeginn!

prost!

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Ja, wie war die Prüfung? War's schwer? Was wurde so gefragt?

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Ich hatte Prof. Wanzenböck, Prüfungsklima sehr entspannt, der Prof. war bemüht das man bei der Prüfung noch etwas dazulernt, hat ein paar Sachen erklärt die nicht erwähnt wurden und hat sehr großzügig benotet.

Er hat allerdings ein bisschen zu genau geprüft finde ich, wenn man die Stoffmenge betrachtet...

Schlussendlich aber eine rel. einfache Prüfung wenn man sich was angeschaud hat!

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Geschrieben

Heute war auch der Prof. Wanzenböck. Wir waren jedoch nur zu zweit bei der Prüfung und jeder hat acht Fragen bekommen, also zwei zu jedem VO Teil.

Die Fragen waren wie folgt:

-Obtische Litographie, genaue Erklärung

-alternative zu optischen Litographie (EUV, Nanoprint, etc.)

-TEM, SEM

-AFM, TFM

-DRAM

-Flash

-MRAM

-FeRAM

-FinFet

-GAAFet

-Nanowires

-Nanotubes

-Plasma Display

-Elektronisches Papier, was für Arten gibt es, wie funktionieren sie

-Chem FET

-Kapazitiver Berührungssensor

Jeweils Abwechselnd gestellt an die zwei Kandidaten. Das Prüfungsklima war sehr angenehm und es wurde nicht zu sehr in die Tiefe gefragt, eher auf grundlegendes Verständnis. Benotung ist auch gut ;).

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Bei der Prüfung vom 28.2.13 war Prof. Hobler der Prüfer. Es waren 3 Kanditaten anwesend und jeder bekam 3 Fragen, 2 Fragen über das Fachgebiet des Prof. Hobler und eine über ein anderes Thema.

Die Fragen waren:

TCAD - Was macht das?, wofür steht das?, Anwendungen,..

Nanowire - Was ist das?, wie produziert/züchtet die man?, Einsatzgebiet?,...

Ätzen - physisch, chemisch und Radikale Ionen ätzen, je ein Bsp

Moorsche Gesetzt - Was ist das?, was sagt uns das?, indikatoren?,.... - Roadmap

Elektronenmikrospie - SEM und TEM erklären

LCD - Aufbau, funktionsweise,....

Limtierung bzw Scalling - short channel effect(was ist das), Lösungen, Halo implantation,...

Lithografie - optische Lithografie erklären und ein andere zb Nanoimprint

Halbleiterspeicher - SRAM-DRAM-FLASH

Das Prüfungsklima war sehr angenehm. Benotung war gut!

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