Sign in to follow this  
Followers 0

Fachvertiefung - Mikroelektronik-Bauelemente, Labor

2 posts in this topic

Posted

Hallo!

Ich war leider letzte Woche nicht in der VO und kann diese Woche auch nicht, wird es zum aktuellen Thema auch Unterlagen wie bei Prof. Smoliner geben? Wurden Hand-Outs ausgeteilt?

Danke!

lg.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Posted

Hallo Leute,

im TISS gibt es vom Smoliner eine Beispielfrage zum Test nächste Woche:

Nehmen Sie an, Sie hätten den perfekten MOSFET mit der Einsatzspannung VGate=0V. Durch einen Fabrikationsfehler haben sich aber positive Oxidladungen der Flächenladungsdichte Q/AOX=1011 cm-2 (Einheit Elektronen pro Quadratzentimeter !!) an der Grenzfläche zum Halbleiter gebildet. Wie viele Elektronen werden dadurch unerwünscht im MOSFET Kanal generiert ?

Wollte mal fragen ob jemand generell die Antwort dazu weiß?

Share this post


Link to post
Share on other sites

Create an account or sign in to comment

You need to be a member in order to leave a comment

Create an account

Sign up for a new account in our community. It's easy!


Register a new account

Sign in

Already have an account? Sign in here.


Sign In Now
Sign in to follow this  
Followers 0